插入损耗：由于滤波器的引入对电路中原有信号带来的衰耗，以中心或截止频率处损耗表征，信号源直接传送给负载阻抗的功率（p0）和插入滤波器后传送给负载阻抗的功率（p1）之比的对数值，晶体滤波器mcf，常用分贝（db）为单位进行度量，表示为il=10 lg （p0/ p1）。带内相位线性度：表征滤波器对通带内传输信号的相位失真度。
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带内驻波比(vswr)：衡量滤波器通带内信号是否---匹配传输的一项重要指标。理想匹配 vswr=1：1，失配时 vswr>;1。对于一个实际的滤波器而言，满足 vswr<1.5：1 的带宽一般小于 bw3db，其占 bw3db 的比例与滤波器阶数和插损相关。
阻带抑制度：衡量滤波器选择性能好坏的重要指标。该指标越高说明对带外干扰信号抑制的越好。滤波器阶数越多矩形度越高——即 k 越接近理想值 1，晶体滤波器mcf品牌，制作难度当然也就越大。
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电磁干扰被定义为当一个设备的电磁场通过辐射和/或传导路径干扰，阻碍或降低另一个设备的电磁场时自然发生的现象.电磁干扰会导致两个或多个电子设备相互干扰，晶体滤波器mcf封装尺寸，并影响它们的性能和操作。电磁干扰是对频率源辐射能量的测量，晶体滤波器mcf型号，通常在给定频率下以 dbmv/m(分贝-伏特每米)为单位进行测量.辐射能量越大，该参数越大.因此，频率源发射的能量越多，产生的电场和电磁干扰就越大.定义电磁干扰测量的频谱时，需要区分峰值电磁辐射和平均电磁辐射.平均发射被定义为给定频谱上的平均 dbmv/m 水平.峰值发射定义为给定频谱内任何频率下的大dbmv/m 水平.
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